负压风机专用电机批发空间电荷是什么？当P
当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ，这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷 ，它们集中在P区和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的PN结 。
什么是空间电荷限制电流效应？半导体中的空间电荷及其相应的空间电荷效应是一个重要的基本概念。在半导体材料和器件中往往会遇到有关的问题，特别是在大电流时空间电荷可能起着决定性的作用。
什么是空间电荷限制电流效应？半导体中的空间电荷及其相应的空间电荷效应是一个重要的基本概念。在半导体材料和器件中往往会遇到有关的问题，特别是在大电流时空间电荷可能起着决定性的作用。
（1）空间电荷：
存在于半导体内部局部区域的剩余电荷即为空间电荷。例如p-n结界面附近处的势垒区，其中就有空间电荷，并在势垒区中产生出相应的内建电场。
空间电荷包含有电离的施主、受主杂质中心的电荷以及载流子（电子和空穴）的电荷。在载流子被内建电场驱赶出空间电荷区——耗尽的近似情况下，空间电荷就只是电离杂质中心的电荷；这时，对于n型半导体，空间电荷主要是电离施主中心的电荷（正电荷）；对于p型半导体，空间电荷则主要是电离受主中心的电荷（负电荷）。一般，空间电荷密度ρ为 ρ = q (p-n Nd-Na) .
（2）空间电荷效应：
在偏压等外界作用下，在空间电荷区中，载流子的浓度可能超过或者少于其平衡载流子浓度。例如，对于n -p结，空间电荷区主要在p型一边（其中的空间电荷基本上都是电离受主的负电荷）；当加上正向电压时，即有大量电子注入、并通过空间电荷区，则这时在空间电荷区中的电子浓度将超过平衡电子浓度，有np>nopo=ni2；相反，当加上反向电压时，空间电荷区中的电场增强，驱赶载流子的作用更大，则这时在空间电荷区中的电子浓度将低于平衡电子浓度，有n p
此外，如果空间电荷区中存在复合中心的话，那么，当正偏时，np>nopo=ni2，则将发生载流子复合现象，就会增加一部分正向复合电流；当反偏时，np
在医学影像设备学中什么是空间电荷效应？当晶体中取代杂质离子与晶体中相应的被取代离子的氧化态不同时，产生的取代缺陷带有一定的有效电荷，为保持体系的电中性，晶体中将产生出带有相反有效电荷的缺陷，使取代缺陷的电荷得到补偿。
电荷（electric charge） ，带正负电的基本粒子，称
空间电荷区的电阻率为什么很高？所谓电阻(电阻率)都是针对材料并实际与两端而言，材料本身不包含电荷电子的电阻率如果按你的思维，所有物质材料中都包含电子和正电荷，那电阻都要变低不成电阻率是因为材料的结构，导致电子和电荷(包含他自己的)在其中通过的能力，而不是拥有多少电荷电子形成它决定电阻，如果用水管比作导线，如果水管中有水，那么水管的管阻会不会因为有水，变得下降了呢结论一定是否定的空间，如果是没有物质，那么就是理论真空的电阻最大，考虑到电子的穿透逃逸，所以也不是真空的电阻就是无穷大，而是和空间尺寸有关的一个特定的系数电阻率，换句话来说就是电磁场本身对电子的最大速度约束不过已经是相当高了不要混要概念，这是重点
什么是空间电荷区呢？首先理解pn结形成后的电荷状态吧。在电荷区靠P区的是聚集负电荷，在电荷区靠N区是聚集正电荷。此时，电荷区的内部电场方向是由N区指向P区。当PN结正向偏置时，即给PN结加由P区指向N区的正向电压，那么这个电压所产生的电场就会抵消内部电场（方向跟内部电场相反），（电压所产生的电场）同时导致远离电荷区的P区空穴和N区自由电子向电荷区移动，抵消了电荷区靠近P区的负电荷和靠近N区的正电荷。所以使得电荷区变窄。（好像此时P区的少子自由电子经过电源到达N区，这句有错的话通知我改正）
为什么空间电荷区又称为耗尽区或势垒区？不是书写错了。这三个区域在定义上是完全不同的，但是在某些条件下对应同一区域。书不是断章取义地读的。比如空间电荷区，也有可能是势阱的。另外空间电荷区有可能是耗尽层，但也有可能不是。
为什么会形成空间电荷区？可以这样理解，PN结的宽度是一个耗尽电荷的无电荷区域(空电荷区)。但在PN结两段施加电压，注入电荷时，电荷的分布是从结的两端成梯度分布向中间流入，即两端电荷堆积向中心梯度递减，无电荷区的宽度（面积）就会变小。两端注入的电荷越多（电荷密度越大），中间无电荷区的宽度就越窄。
空间电荷区是由电子.空穴还是由正.负离子构成的?空间电荷区为何又称为耗尽层？电子和空穴构成的。
空间电荷，在pn结中，电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域。空间电荷指流子浓度超过原载流子浓度。
在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区，所以空间电荷区为何又称为耗尽层。
扩展资料
空间电荷区的变化
当p-n结上加有正向电压时，所产生电场的方向即与内建电场的方向相反，互相抵消，使得空间电荷区中的总电场有所降低，从而其中的正、负空间电荷也就有所减少，结果，空间电荷区的厚度也就减小了。
相反，当p-n结上加有反向电压时，所产生电场的方向即与内建电场的方向一致，互相增强，使得空间电荷区中的总电场有所提高，从而也就使得空间电荷区中的电荷增多、厚度增大了。
p-n结的单向导电性和扩散电容效应，也就是势垒高度随着电压而发生变化所产生的一种效应；而势垒电容是势垒区的厚度（空间电荷区的宽度）随着电压而发生变化所产生的一种效应。
由于势垒厚度的变化（即空间电荷区的变化）是p-n结两边多数载流子的运动所致，因此相应的势垒电容在很高的频率下也会起作用，往往是决定器件截止频率的重要因素。
如果所加的正向电压过高（例如超过1V）时，内建电场就完全被抵消了，空间电荷区也就不存在了，厚度变为0，这时p-n结也就失效了。
当然，若在回路（例如开关电路）中接有适当的电阻，限制了电流，虽然p-n结不会损坏，但是通过的电流已经不再是受到势垒限制的那样随着电压而指数式上升的电流了。因此，只要是能够正常进行整流、检波等工作的p-n结，其中就必将具有一定厚度的空间电荷区
参考资料来源：
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空间电荷区由什么构成？空间电荷区也叫耗尽区，是由施主离子和受主离子构成的。它们是电子和空穴耗尽之后留下的固定不动的正电/负电中心。
pn结空间电荷区变窄是什么意思？空间电荷区，也就是“阻挡层”－－由N区的电子和P区的空穴在交界处向对方扩散所形成。使原本不带电的半导体，在交界处形成一个由N区(由P区扩散来的空穴)指向P区(由N区来的电子)的内建电场，并阻挡这些多数载流子的进一步扩散。这个阻挡层是有一个宽度的。当P型半导体加上直流电源的正极、N区加上直流电源的负极时，电源的电场与内建电场方向相反，就抵消了阻挡层对多数载流子扩散的阻挡，使得多数载流子的扩散更容易进行，就称为阻挡层变窄。对于二极管来说，就是“正向导通”。反之，当P型半导体加上负电压、N型半导体加上正电压时，外电场的方向与内电场相同，使得阻挡层的作用更加强，就是阻挡层变厚，多数载流子的扩散运动更难进行。对于二极管来说，就是“反向截止”。
空间电荷区跟PN结有什么区别？pn结和pin结是两种最基本的器件结构，也是两种重要的二极管。从结构和导电机理上来说，它们有许多共同点，但是也存在不少的差异。l相同点：（1）都存在空间电荷区和势垒区，则都有势垒电容；（2）都具有单向导电性和相应的整流作用，则都可用作为二极管；（3）在高的反向电压下，都有可能发生绝缘击穿的现象，因此都存在有最高工作电压的限制；（4）都具有感光作用，可以作为光电二极管和光电池等光电子器件。l不同点：（1）空间电荷区：pn结的空间电荷区就是界面附近的区域，其中存在较强的内建电场，使得载流子往往被驱赶出去了，故一般可近似为耗尽层。pin结的空间电荷区是在i型层（本征层）两边的界面附近处，则有两个空间电荷区（即p-i和n-i两个界面的空间电荷区），一个空间电荷区包含有正电荷，另一个空间电荷区包含有负电荷，这些空间电荷所产生的电场——内建电场的电力线就穿过i型层。（2）势垒区：pn结中阻挡载流子运动的区域，即存在内建电场的区域就是势垒区；pn结的势垒区也就是空间电荷区，即空间电荷区与势垒区是一致的。但是pin结中存在内建电场的区域是整个i型层加上两边的空间电荷区，因此势垒区很宽（主要就是i型层的厚度），这时势垒区与空间电荷区并不完全一致（势垒厚度远大于空间电荷区）。（3）势垒电容：pn结的势垒电容也就是空间电荷区的电容，而空间电荷区的厚度与外加电压有关，则势垒电容是一种非线性电容；并且pn结的势垒电容也与两边半导体的掺杂浓度和温度有关（掺杂浓度越大，或者温度越高，势垒厚度就越小，则电容也就越大）。但是pin结的势垒电容基本上就是i型层的电容，因此该势垒电容是一种线性电容；并且pin结的势垒电容与两边半导体的掺杂浓度和温度基本上没有什么关系。由于i型层较厚，则pin结的势垒电容很小，因此可用作为微波二极管。（4）导电机理：pn结的电流主要是注入到势垒区两边扩散区中少数载流子的扩散电流，这就意味着：通过pn结的电流是少数载流子扩散电流，并且少数载流子的扩散是在势垒区以外的扩散区中进行的。而势垒区的影响只是其中复合中心提供少量的复合-产生电流（只在低电压时起重要作用）。但是pin结的电流主要是较宽的势垒区（～i型层）中的复合电流。因此在通过的电流的性质上，与一般pn结的大不相同。虽然它们的伏安特性基本上都是指数式上升的曲线关系，但是上升的速度却有一定的差别，pin结的正向伏安特性曲线上升得稍慢一点。（5）工作电压：pn结的势垒厚度一般较薄，并且电场在pn结界面处最大，则容易发生雪崩击穿，从而承受的反向电压有限。但是pin结的势垒厚度很大（～i型层），并且电场在i型层中的分布基本上是均匀的，则不容易发生雪崩击穿，能够承受很大的反向电压，从而pin结二极管可用作为高电压大功率器件。（6）感光（探测）灵敏度：作为光电子器件（光电二极管、红外探测器、太阳电池等）使用时，感光（探测）灵敏度主要决定于势垒区的宽度。pn结因为势垒厚度较薄，则感光灵敏度较小。但是pin结由于它的势垒厚度很大（～i型层），则能够吸收大量的光子、并转换为载流子——光生载流子，所以感光和探测辐射的灵敏度很高。
空间电荷区是电子，空穴还是由施主离子，受主离子构成？空间电荷区是由施主离子、受主离子共同构成的。 在PN结中，P区失去空穴留下带负电的离子，N区失去电子留下带正电的离子， 这些离子因物质结构的关系，它们不能移动的，因此称为空间电荷， 它们在P区和N区的交界面附近形成的一个很薄的区域，即空间电荷区。
怎样简单的解释漂移电流的概念及其特点？在半导体PN结的空间电荷区上形成了一个有N指向P区的内电场，在该内电场的作用下，电子由P去被送回N区，形成了和扩散电流相反的电子运动，该运动形成的电流就称为漂移电流。 漂移电流的大小和内电场大小有关，内电场越大、漂移电流越大。
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